如果芯片被灰尘颗粒和▃金属污染，产生短路或开路等，会导致集╱成电路故障和或者损伤几何特性，进而损害芯片∞中的电路功能■。因此，除了在整个生产过程中避免外部污染源外，集成电路制造程序（如高温扩散和离子注入ㄨ）还需要湿式或干式清洁。干式和湿式清洁工作包括使用化学溶液或气体成功地去除留在晶圆∏上的灰尘、金属离子和有机杂质Ψ，同时保持晶圆的表面和电气特性。
3.1湿法清洗
湿式清洗使用液态化学溶剂和去离子水氧化、蚀刻和溶解晶圆表面污染︽物、有机碎屑和金属离子污染。通常采用RCA清洗、稀释化学清洗、IMEC清洗。
3.1.1 RCA清洗方法
起初，人们没有使用常规或系统的清洁方法。用于硅片清洗的RCA清洗工艺由RCA（美国无线电公司）于1965年发明，并应用于RCA组件的制造。该清洁程序一直是许多前后清洁流程的基础，未来大↑多数制造商的清洁流程将基于原始RCA清洁方法。
为了喷涂、清洁、氧化、蚀刻和ζ溶解晶圆表面污染物、有机物和金属离子污染，而不损害晶ㄨ圆表面特性，RCA清洁使用↘溶剂、酸、表面活性剂和水。每次使用化学卐品后，用超纯水（UPW）彻底冲洗。后期，RCA清洗〇加入了超声波技术后，可以尽大限度地减少化学和去离子水的消耗，缩短晶圆在清洗↙液中的蚀刻时间，减少湿式清洗各向同性对集成电路特性的影响。
3.1.2稀释化学
当与RCA清洗结合使用▲时，SC1和SC2混合物的稀释化学方法可以节省大量化学品和去离子水。使用稀释RCA清洁方法时，总化学消耗量减少80%。在稀释的SC1、SC2溶液和HF中加入超声波搅拌后，可以降低罐内溶液的温度，优化各个清洗步骤★的时间，从而延长溶液在罐内的使用寿命，并减少80-90%的化学消耗。实验表明，用热UPW代替冷UPW可以节省75-80%的UPW用量。此外，由∮于低流速和/或清洗时间①要求，许多稀释化学剂可以节省大量冲洗水。
3.1.3 IMEC清洗方法
IMEC清洗方法经常用于湿法清洗，以〓限制化学品和去离子水的使用。
有机污染物在一阶段被消除，并形成一层薄薄的化学氧化物，以确保有效去除颗粒。通常采用硫酸组合，但出于环境原因，使用臭〒氧化去离子水，以减少化学水和去离子水的使用，并消除更困难的硫酸浴清洗阶段。但是，使用臭氧化去离子水，更难完全去除HMDS（六甲基二硅氮烷），因为在环境温度下，臭氧可在∏溶液中以高浓度溶解，反应时间较慢，导致HMDS去除不完全。但是，温度越高，反应速度越◆快，溶解臭氧浓度越低。因此，必须调整温度和浓度参数，以便更有效地去除有机物质，HMDS烘箱应运而∑生。IMEC清洁工艺可以实现非常低的金属污染，同时由于其化学使用量低且无压印，因此更具成▲本效益。
3.2干洗
干洗主要是使用气相化学技术去除晶圆表面的杂质，其中热氧化和等离子体清洗是两种常见的气↓相化学技术。清洁程序包括将高温化学气体或等离子反应气体引入反应室，反应气体在反应室中与晶片表面化学结合，产生挥发性反应产物，并进行真空抽空。常用到是设备是高温退火炉，以及等离子清洗机。
热氧化反应利用高温炉，在密封环境中退火是一种常见的热氧化过程。
等离子体清洗机包括使用激◇光、微波、热电离和其他方法将无机气体转化为等离子︼体活性粒子，然后与表面分子结合生成产品分子，以形成与表面分离的气相残留物，并通过真空的方式抽走残留物。
干洗∩的优点是清洗后不会留下废液，并且可以进行选择性的局●部处理。干洗蚀刻的各向异性也使其更容易产生精细的线条和几何元素◢。但是，气相★化学技术无法仅与表面金属杂质发生选择性反应，还可能与硅表面发生反应。并且，不同的挥发性金属组分具ζ有不同的蒸发压力和不同的低♀温挥发性。实验证明，金属化污染物，如铁、铜、铝、锌、镍和其他，可以使用气相化学技术减少◥，以满足必要的标准。钙也可以利用基于氯离子的化学技术在低温下成功挥发。因此，在特定的温度和时间条件下∮，不能完全消除所有金属污染物。干洗虽然可以解决大量的化学材料和↙减少非常多环保问题，但是干洗不能完全取代湿洗。清洁目标决】定了选择什么样的清洗方式，实际过程常常采用干式和№湿式清洁程序的组合。常用到的设备有各类◣惰性气体烘箱（无氧烤箱），等离⊙子清洗机等。