20世纪50年代后，半导体IC工艺逐渐发展↘发明了四种基本工艺（离子注入、扩散、外延生长和卐光刻）。如果芯片被灰尘颗粒※和金属污染，产生短路或开路等，很容易损害↑芯片中的电路功能。
污染物和杂质的分类
IC制造过程中需要一些有机和无机化合物。此外，制造过程『总是在洁净室中进行，并有人为干预，导致硅片受到各种环境污染。污染物根据其发生情况分为四类：颗粒物、有机物、金属Ψ 污染物和氧化物。
1.2 颗粒
聚合物、光刻胶和蚀刻杂质构成了大部分颗粒。通常，颗粒会粘附在硅表〓面，影响后续工艺的几何特征和电气特性的发展。虽然颗粒与表面之间的粘附力〓不同，但主要是范德瓦尔斯引力，因此颗粒去除方法主要是使用物理或化学方法对颗粒进行◣咬边，并逐渐去除颗粒。粒子与硅表面的接触面【积减小，粒子被移√除。
1.2有机物
人体皮肤油、洁净→室空气、机械油、硅真空润滑脂、光刻胶、清洁溶剂和其他有机污染物都可以在IC工艺中找到。每种污染物都以不同的方式影响IC工艺，主要是通过在晶圆表面上产生一层有机层来阻止清洗液到达∏晶圆表面。因此，去除有机物通常是清洁程序的初步。
1.3金属污染物
在IC电路制◤造过程中，金属互连材料用于连接单独的器件。光刻↓和蚀刻用于在绝缘层上创建接触窗口，然后蒸发、溅射或化学气相沉积用于创建金属互连（CVD）。为了构造互连线□ ，对互连膜（如Al-Si、Cu等）进行蚀刻，然后对沉积的介电层进行化学机械抛光（CMP）。该程序有可能污染IC生产过程。在构建金属互连时会产☉生各种金属污染。为了消除金属污染，必须采取适当的措施。
1.3一次氧化物和化学氧化物
在包括氧〖气和水在内的环境中，硅原子很容易被氧化，形成一个氧化∩层，称为自然氧化层。由于过氧化氢的强大氧化能力，用SC-1和SC-2溶液清洗后☆，硅片表面会形成化学氧化层。晶圆清洁后，必须清除表面氧化物，以确保栅氧化层的质量。IC工艺中化学气相沉积（CVD）产生的氧化物，如氮※化硅和二氧化硅，也应在清洗过程中选择性去除。
因此，除了在【整个生产过程中避免外部污染源外，集成电路制造程序（如高温扩散和离子」注入）还需要湿式或干式清洁。干式和湿式清洁工作包括使用化学溶液或气体成功地去除留▆在晶圆上的灰尘、金属离子和有机杂质，同时保持晶圆ω的表面和电气特性。
其中干洗主要是使用气相化学技术去除晶圆〒表面的杂质。热氧化和等离子体清洗是两种常见的气□ 相化学技术。清洁程序包括将高温化学气体或等离子反应气体引入反应室，反应气体在反应室中与∴晶片表面化学结合，产生挥发性反应产物，并进行真空抽空。常用到的设备是各类惰『性气体烘箱（无氧烤箱），等离子清洗机等。